瑶华半导体：引领射频革新，赋能万物互联

        大功率射频功率器件是关乎国家通信和微波产业的重中之重,移动通信基站、雷达、广播电视、粒子加速器等均需要大量的大功率射频功率器件。国内通讯设备厂商射频器件几乎依赖进口,存在重大供应安全隐患,LDMOS主要来自NXP和Ampleon,GaN主要来自日本住友,中美贸易战中,大功率射频功率器件也是美国对中国技术封锁的主要产品之一,国产替代需求极为迫切。苏州华太已经实现了LDMOS芯片国产,是目前国内主要的射频功率器件规模量产供应商。瑶华半导体是掌握核心技术的大功率射频功放器件封测工厂,与头部客户建立深度合作,获得了市场广泛认可。瑶华半导体专注于LDMOS\GaN等大功率射频器件、IGBT\SiC功率模块的研发、制造与销售,致力于将前沿科技转化为驱动未来的力量。

产品亮点：成套射频功放ACP封装技术

       ACP（air cavity of plastic）封装技术，是一种先进的芯片封装解决方案，旨在提高射频芯片的性能和可靠性。这项技术融合了多项创新设计，如B-Stage预置带胶盖板、优化的管壳尺寸设计以及高热导率的封装材料，确保了产品的高性能和长期稳定性。

核心优势：

·灵活的设计选项：提供多种芯片尺寸、线材直径和材质选择，满足不同客户需求。

·创新工艺：内互联技术包括铝线键合、金线键合，并使用无压烧结银技术，增强连接可靠性。

·专利技术解决行业难题：通过专利技术解决了GaN分层，溢胶、炸胶、偏位、漏气等行业常见痛点，保证了产品的高良率和可靠性。

·高热导率材料：采用金属热沉：CPC232,141,111;Cu(for LDMOS)；Cu-diamond复合材料，金属热沉热导系数最高800W/mK，银胶导热系数范围：130~330W/mk，有效改善了散热问题，提升产品稳定性。

【关键核心工艺：精密匠心，铸就卓越】

射频器件关键工艺能力介绍：

典型应用：

【射频芯片：万物互联的驱动力】

RF LDMOS，我们的小基站RF LDMOS MMIC芯片，采用ACP封装，凭借卓越的性能，已跻身国际领先之列。而GaN产品的快速迭代，更是彰显了我们追逐全球领先地位的决心。虚拟IDM模式的高效运作与高壁垒，为我们的创新研发提供了坚实保障。

【LDMOS MMIC：集成创新，应用广泛】

集成Doherty设计的LDMOS MMIC，覆盖700M-5GHz应用频段，峰值功率可达6-100W。依托自主28V LDMOS工艺平台，我们实现了全国产供应链的深度布局。产品性能在国际舞台上遥遥领先，已在全球关键客户处大规模量产，口碑载道，成果显著。

【LDMOS分立器件：高性能，自主研发】

峰值功率从20W至3000W，工作频率跨度10MHz至4GHz，基于自主知识产权的28V、50V、65V和500V LDMOS工艺平台，我们自主研发的封装材料，以低成本、高气密性、高热导率（金刚石钢>800W/mk）、高良率，赢得了市场的广泛认可。

【GaN分立器件：高频宽带，应用无限】

GaN分立器件，峰值功率高达50W至800W，工作频率最高可支持6GHz，完美适配高频宽带应用场景。其在封装材料的研发设计上，同样遵循低成本、高气密性、高热导率（金刚石铜>800W/mk）、高良率的原则，确保产品在各类复杂环境下稳定运行。

【OMP塑封器件：高性价比，应用灵活】

OMP塑封器件，基于自主知识产权平台开发，实现全国产供应。其低成本、高性能的产品方案，尤为适用于射频基站等终端设备，为普及高性能射频解决方案开辟了新路径。

瑶华半导体,致力于推动射频技术革新，赋能万物互联。我们的ACP封装技术，以其卓越的性能、广泛的应用前景，引领行业风潮，点亮智能未来的无限可能。

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